家庭:FET - 单路
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 6A, 10V
漏源电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C:11A
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2700pF @ 25V
功率 - :180W
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陈丽燕(联系我时,请说明是在维库仪器仪表网看到的,谢谢)
陈丽燕
免企业未认证证营业执照未上传
经营模式:贸易商
所在地:广东 深圳市
主营产品:IC集成电路;电脑IC;通讯IC;存储器;单片机;二三极管;偏冷门及停产集成;场效应管
家庭:FET - 单路
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:600 毫欧 @ 6A, 10V
漏源电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏(Id) @ 25° C:11A
Id 时的 Vgs(th)():4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2700pF @ 25V
功率 - :180W